Simple Method for Phosphorus Diffusion on <100> Oriented P-Type Silicon Using New Phosphorus Gel as Dopant

Abstract

Dans ce travail, nous essayons de réaliser une jonction pn de silicium monocristallin de type p en utilisant une méthode de dopage plus simple. Procédé combiné de dépôt de couche mince de revêtement par centrifugation et technique de dopage solide. Cette technique peut être considérée comme une variété de la méthode SOD. Dans cette étude, des composés de gel à base de phosphore ont été préparés et déposés par spin coating. Traitement thermique permettrait ainsi, après dépôt de couche mince, de diffuser des atomes de phosphore dans le substrat pour obtenir une diode pn. Étude par spectrométrie de masse des ions secondaires (SIMS) a montré une concentration de phosphore de surface de 1020 at / cm3 incorporé dans le substrat de silicium à une profondeur de 300 nm. La technique de déphasage micro-ondes (µW-PS) est utilisé pour déterminer la durée de vie en vrac (tb) des transporteurs minoritaires. Dans cette technique, le déphasage entre un faisceau hyperfréquence (10 GHz) et une excitation infrarouge à modulation sinusoïdale est liée à la tb et à la surface vitesse de recombinaison (S) (Palais, Clerc, Arcari, Stemmer & Martinuzzi, 2003). Les valeurs moyennes de la tb à vie varient de 7 µs pour un silicium de type p à 97 µs pour un silicium diffusé au phosphore. La vitesse de recombinaison de surface S varie d'environ 500 à 1000 cm.s-1