Influence du champ magnétique sur une photopile bifaciale au silicium sous éclairement monochromatique par la face arrière en régime statique : détermination de l’épaisseur optimum de la base

Abstract

Dans ce travail, nous avons d’abord effectué une étude bibliographique dans laquelle nous avons présenté une photopile polycristalline et son fonctionnement avant de présenter quelques travaux faites sur la modélisation des paramètres de recombinaison surfacique de la photopile et surl’optimisation de sa base,à partir du concept de vitesses de recombinaison en face arrière. Ensuite, une étude théorique de modélisation d’une photopile bifaciale au silicium polycristallin en régime statique, sous l’influence champ magnétique et sous l’éclairement monochromatique par la face arrière est présentée. En résolvant l’équation de continuité correspondant au model d’étude, l’expression de la densité des porteurs minoritaires en excès dans la base est obtenue. Cette expression de la densité des porteurs de charge a permis de déterminer celle de la densité de photocourant. A partir de l’expression de la densité de photocourant, nous avons déterminé les expressions des vitesses de recombinaison en face arrière (Sb1 et Sb2). En fin, le travail est orienté vers la détermination de l’épaisseur optimale de la base de la photopile en fonction du champ magnétique auquel elle est soumise et de la longueur d’onde de l’éclairement. Une corrélation entre l’épaisseur optimale et le champ magnétique est établie pour différentes longueurs d’onde.