| dc.description.abstract | Ce mémoire a pour objectif d'élaborer des nanofils de silicium par une méthode simple et peu
couteuse pour l’amélioration du rendement des cellules photovoltaïques à base de silicium. Pour
cela, nous avons fabriqué des nanostructures de silicium par la méthode de la gravure chimique
assistée par un métal (MACE) (Metal Assisted Chemical Etching). Les observations faites par
la microscopie électronique à balayage (MEB) révèlent des nanotextures très poreuses sur la
surface du silicium. Après la nanostructuration, nous avons réalisé un dopage avec un gel à base
d’Oxyde de Phosphore (P2O5) avec la méthode de dépôt de couche mince par voie sol-gel (spin
caoting). Ensuite nous avons fait un recuit thermique de nos échantillons pour une diffusion
homogène du phosphore en volume.
La caractérisation courant-tension des cellules de nanofils de silicium obtenues sous différentes
durées de gravure nous a permis de déterminer les paramètres photovoltaïques. Nous avons
obtenu des rendements de 17,32%, 16,66% et 14,59% respectivement pour les gravures de 30
min, 45 min et 60 min. Pour les échantillons qui sont gravés sous la lumière leurs rendements
sont plus élevés et atteignent environ 25,53%. | en_US |
